Компания Infineon Technologies Austria открыла первую в мире фабрику по производству полупроводников на основе нитрида галлия, предназначенных для использования в силовых электронных устройствах, и выпускающую продукцию серийно на подложках диаметром 300 миллиметров. Эта инициатива получила поддержку в виде субсидий от Европейского союза.
В Европе, а именно в городе Виллах на юге Австрии, создается первое в мире предприятие по массовому производству полупроводниковых приборов из нитрида галлия на подложках диаметром 300 миллиметров. Компания Infineon Technologies Austria модернизирует существующее помещение чистого типа для размещения этого производства. Запуск производства запланирован на конец 2027 года. Технологический прорыв в области нитрида галлия был достигнут компанией Infineon Austria около двух лет назад. Таким образом, компания позиционирует себя как поставщик подложек из всех трех основных материалов: кремния, карбида кремния и нитрида галлия.
Нитрид галлия (GaN) – это, как и карбид кремния, так называемый полупроводник с широкой запрещенной зоной, то есть с большим расстоянием между валентной и проводимостью зонами. Это позволяет переключать большие токи на высоких частотах при низких потерях, при обратном напряжении до 1700 вольт. В результате этого устройства, такие как инверторы для солнечных батарей, зарядные устройства, системы управления двигателями или источники питания для систем искусственного интеллекта, становятся меньше и легче. Благодаря более высокой эффективности также снижаются выбросы парниковых газов. Например, в электромобилях это означает аккумуляторы меньшего веса, больший запас хода и более быструю зарядку.
"С запуском производства высокопроизводительных компонентов на основе нитрида галлия диаметром 300 миллиметров, компания Infineon Technologies AG первой в мире переводит эту технологию в массовое производство", - заявил Йохен Ханебек, председатель правления компании. "Это открывает путь для широкого применения нитрида галлия во множестве ключевых областей, таких как искусственный интеллект, энергетическая инфраструктура, электромобильность и робототехника."
1,1 миллиарда евро, включая субсидии Европейского Союза.
Для организации серийного производства потребуется инвестировать около 1,1 миллиарда евро, из которых до 319 миллионов евро должны быть предоставлены в виде субсидии Европейского Союза в рамках программы "Европейский чип-закон". Формальное утверждение этой суммы Министерством экономики Австрии еще предстоит, но правительство не оставляет сомнений в своей поддержке проекта: "Благодаря инвестициям компании Infineon в размере миллиарда евро, мы являемся свидетелями одной из крупнейших индивидуальных инвестиций в истории австрийской высокотехнологичной промышленности", - заявил федеральный канцлер Кристиан Штокер (партия ÖVP). "Это не только сильное подтверждение нашей экономической привлекательности, но и гарантирует, что будущее полупроводниковой промышленности будет определяться не только в Азии или Америке, но и в Австрии и Европе."
Цель Стокера заключается в том, чтобы его страна "вернулась в число десяти ведущих индустриальных держав мира к 2035 году". "В настоящее время Европа обеспечивает лишь около десяти процентов мировой продукции микросхем", - отметил коллега по партии, министр экономики Вольфганг Хаттмансдорфер. "Австрия уже является лидером в производстве энергоэффективных микросхем. Если учитывать численность нашего населения, мы занимаем первое место в ЕС по расходам на промышленные исследования в области полупроводников. Мы намерены укрепить это преимущество с помощью нашей промышленной стратегии". По данным компании Infineon, доля Европы на рынке силосной электроники составляет около 40 процентов.
Виллах, расположенный в федеральной земле Каринтия, является глобальным центром компетенций компании Infineon в области силовой электроники и новых полупроводниковых материалов. Компания Infineon Austria насчитывает около 5800 сотрудников, из которых 2500 занимаются исследованиями, а 4800 работают на предприятии в Виллахе. Создание производственной линии по изготовлению изделий из нитрида галлия диаметром 300 миллиметров должно положительно повлиять на исследовательские и опытно-конструкторские работы в области силовой электроники, которые также ведутся в Виллахе. Нитрид галлия обеспечивает еще более высокие скорости переключения, чем карбид кремния (SiC), но, по информации компании Infineon, его стоимость не будет выше.
Первоисточник — Heise
Сообщите редакции. Существенные исправления мы отмечаем в материале